SP26S Series Semiconductor Static Parameter Measurement System
SP26S Series Semiconductor Static Parameter Measurement System
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SP26S Series Semiconductor Static Parameter Measurement System

半导体静态参数测量系统

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系统概述:

新锐中科功率器件静态参数测试系统,集多种测量功能⼀体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT,以及SiC、GaN第三代半导体等)
的静态参数,具有⾼电压和⼤电流特性、μΩ级导通电阻精确测量、nA级漏电流测量能⼒等特点。⽀持⾼压模式下功率器件结电容测试,如输⼊电容、输出电容、
反向传输电容等。

系统组成:

新锐中科功率器件静态参数测试系统,主要包括测试主机、测试线、测试夹具、电脑、上位机软件,以及相关测试配件等构成。整套系统采

⽤新锐中科⾃主开发的测试主机,内置多种规格电压、电流、电容测量单元模块。结合专⽤上位机测试软件,可根据测试项⽬需要,设置不

同的电压、电流等参数,以满⾜不同测试需求。测试数据可保存与导出,并可⽣成I‐V以及C‐V特性曲线。此外,测试主机可与探针台搭配使

⽤,实现晶圆级芯⽚测试。

 系统参数:

model number Main specifications realm accuracy
Collector-Emitter input voltage 300V--3500V ±0.1%
amps 5A--6000A ±0.1%
最⼩电压脉宽 1ms ±100uS
电流脉宽 50μs~500μs ±5μs
漏电流测试范围 1nA~100mA
Gate-Emitter input voltage 300mV--300V ±0.1%
amps 10nA--1A(直流)/10A(脉冲) ±0.1%
pulse width 200us--100ms ±10uS
Capacitance Testing *频率范围 10Hz~1MHz ±0.01%
Capacitance value range 0.01pF~9.9999F ±0.05%
信号电平 10mV-2Vrms 0.06
偏压 300V--3500V ±0.1%
温控温控 realm 25℃~200℃ ±1℃

 

SP26S系列的主要应⽤

  • 功率半导体的来料检验
  • 功率半导体的静态参数验证或标定
  • 实验室的器件评估
  • 功率半导体的⽣产检验和筛选
  • 半导体器件的⼯艺改进评估
  • 半导体器件的失效分析
  • 半导体器件的教育科研

软件特点:

  • 测试主机内部采⽤的电压、电流测量单元,均采⽤多量程设计,测试精度为0.1%
  • 栅极‐发射极,最⼤⽀持30V/10A脉冲电流输出与测试,可测试低⾄pA级漏电流
  • 集电极‐发射极,最⼤⽀持6000A⾼速脉冲电流,典型上升时间为15μs,且具备电压⾼速同步采样功能
  • 最⾼⽀持8000V电压输出,且⾃带漏电流测量功能
  • 电容特性测试包括输⼊电容、输出电容、以及反向传输电容测试,频率最⾼⽀持1MHz
> 测试器件类型及项⽬
参数分类    参数符号 参数说明     参数分类  参数符号 参数说明
   triode (vacuum tube or transistor) V(BR)CEO 集电极-发射极击穿电

push down

MOSFET V(BR)DSS 栅极-源极击穿电压 V(BR)CBO 集电极-基极击穿电压
VGS(th) 栅极阈值电压 V(BR)EBO 发射极-基极击穿电压
IDSS 源极漏电流 ICBO 集电极-基极截止电流
IGSS 栅极漏电流 IEBO 发射极-基极截止电流
RDS(on) 源极-漏极导通电阻 VCESAT 集电极-发射极饱和电

push down

VSD 体二极管导通电压
VBESAT 基极-发射极饱和电压
ISD 体二极管导通电流
IC 集电极电流
Ciss Input Capacitance
IB 基极电流
Coss 输出电容 Ccb 集电极-基极电容
Crss 反向传输电容 Ceb 发射极-基极电容
gfs 跨导
hFE gain (electronics)
输出特性曲线

转移特性曲线

C-V特性曲线

输入特性曲线

输出特性曲线

C-V特性曲线

 IGBT VCES 集电极-发射极电压      GaN HEMT V(BR)DSS 栅极-源极击穿电压
V(BR)CES 集电极-发射极击穿电压 VGS(th) 栅极阈值电压
IDSS 源极漏电流
VCEsat 集电极-发射极饱和电压 IGSS 栅极漏电流
RDS(on) 源极-漏极导通电阻
IC 集电极电流
VSD 体二极管导通电压
ICES 集电极截止电流
ISD 体二极管导通电流
VGES 栅极-发射极电压 Ciss Input Capacitance
VGE(th) 栅极-发射极阈值电压 Coss 输出电容
IGES 栅极漏电流 Crss 反向传输电容
Ciss Input Capacitance gfs 跨导
Coss 输出电容 输出特性曲线

转移特性曲线

C-V特性曲线

Crss 反向传输电容
gfs 跨导
    optocoupler IF 正向电流
输出特性曲线

转移特性曲线

C-V特性曲线

VF 正向电压
V(BR)CEO Reverse breakdown voltage
 thyristor VR Reverse breakdown voltage VCE(sat) 输出饱和压降
ICEO 反向截止电流
IR 反漏电流
Input Capacitance

输出电容

入出间隔离电容CIO

VF 正向电压
IF 正向电流
Cd 电容值 输出电流传输比CTR

输入特性曲线

输出特性曲线

I-V特性曲线

C-V特性曲线

备注:更多类型的器件⽀持不断在完善中

> SP26S系列订购信息

model number  Main specifications
SP26S2100H 0.1%精度,  2200V,1000A
SP26S3200H 0.1%精度,   3500V,2000A
SP26S3400H 0.1%精度,   3500V,4000A
SP26S8600H 0.1%精度,  8000V,6000A

 

SP26S系列半导体静态参数测量系统配置

  • 测试主机、测试线、测试夹具、电脑
  • 标配TO-247-3L/TO-220封装治具;
  • 参数测试系统软件及系统使⽤⼿册;

 

SP26S系列半导体静态参数测量系统硬件夹具选件

  • SP-XXX,客户定制治具板

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Product consultation and purchase:18218718851

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